• Módulo de memoria dual en línea (LO-DIMM) de contorno pequeño, tipo zócalo, 288 pines
• Velocidades de transferencia de datos rápidas: 2666MHz
• VDD = 1,2 V (típico)
• VPP = 2,5 V (típico)
• VDDSPD = 2,2–3,6 V
• Terminación integrada (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara
• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en matriz
• rango único
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) integrada
16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Se corrigió el corte de ráfaga (BC) de 4 y la longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Contactos de borde dorado
• Libre de halógeno
• Topología de paso
• Bus de control, comando y dirección terminado
• Temperatura de funcionamiento – Comercial (0°C = TOPER = +85°C)
• Paquete DIMM de 288 pines (libre de halógenos)
• Frecuencia/latencia CAS 2666MHz @ CL=19
